晶丰明源获得发明专利授权：“横向扩散金属氧化物半导体器件及其加工方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶丰明源（688368）新获得一项发明专利授权，专利名为“横向扩散金属氧化物半导体器件及其加工方法”，专利申请号为CN202210426847.0，授权日为2025年7月11日。

专利摘要：该发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件及其加工方法，该LDMOS器件包括第一导电类型的半导体衬底、形成在至少一部分衬底上的第二导电类型的掺杂漂移区、以及形成在掺杂漂移区中的第一导电类型的体区。第二导电类型的源极区域和漏极区域分别靠近体区和掺杂漂移区的上表面形成，并且彼此横向间隔。栅极结构设置在源极区域和漏极区域之间，栅极结构包括形成在体区上方的控制栅极和形成在掺杂漂移区上方的场板，栅极结构通过第一绝缘层与体区和掺杂漂移区电隔离。在场板的一部分和漂移区的一部分上形成氧化物结构，该氧化物结构与场板的角重叠。

今年以来晶丰明源新获得专利授权8个，较去年同期减少了72.41%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了4亿元，同比增36.04%。

通过天眼查大数据分析，上海晶丰明源半导体股份有限公司共对外投资了22家企业，参与招投标项目6次；财产线索方面有商标信息54条，专利信息475条，著作权信息1条；此外企业还拥有行政许可3个。

数据来源：天眼查APP

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